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スポーツクラブを利用した健康管理

スポーツクラブを定期的に利用することはありますか？最近、スポーツクラブ、エアロビクス以外にも、ヨガや太極拳、ストレッチ、ボール体操、水泳、ゴルフ、卓球、スカッシュ、コンピューターを利用した筋肉トレーニングなど、さまざまな運動が負担させることができた。肥満対策、健康管理のためのスポーツクラブで定期的に良い汗を共にしてみたいですね。
数年前、息子が小学校時代のサッカーチームに所属。その時のサッカーユニフォームが意外に高価だった感があった。成長年頃六年間、何度も交換した。サッカーユニフォームに付随して、靴下は消耗品のように、かなり購入した。私の意見で、制服などの後輩に譲渡可能な限り使用して回るような慣習ができたらいいなと思う今日この頃です。
ネットギアジャパンは2011年8月4日、中小規模オフィス向けにファンレスのギガビットスイッチ4機種を販売する、と発表した。

販売するのは、ギガビットスマートスイッチ「GS724Tv3（Fanless）」「GS716Tv2（Fanless）」、ギガビットイーサネットスイッチ「JGS524v3」「JGS516v3」。

スマートスイッチ24ポート/16ポート（GS724T-300AJS 、GS716T-200AJS）と、アンマネージスイッチ24ポート/16ポート（JGS524-200JPS、JGS516-200JPS）の後継製品で、機能を維持しつつ、ファンレス設計を採用したもの。

すべてファンレス設計で、自動で電力を調節できる「パワーコントロール機能」を備えている。2009年7月からスイッチにも適用された省エネ法（エネルギーの使用の合理化に関する法律）の基準達成率は119〜185％で、低消費電力のネットワークを構築できる。

また、期間を定めずハードウェア故障に対応する「ライフタイム保証」の対象製品。

NETGEAR スマートスイッチシリーズは、Web ブラウザからネットワークの設定/変更/管理ができる製品。ネットワーク構築に最も使われている機能に絞っているため、フルマネージに比べ導入コストを抑制でき、専任管理者のいない小規模オフィスでの運用に最適、とのことだ。

価格は、GS724Tv3（Fanless）（メーカー型番 GS724T-300JPS）が7万8,000円（税別）、GS716Tv2（Fanless）（メーカー型番 GS716T-200JPS）が6万2,000円（税別）。

NETGEAR アンマネージスイッチシリーズは、コンパクトな筺体と簡単な設置、ライフタイム保証が特徴。今回の JGS524v3、JGS516v3 へのファンレス設計採用で、アンマネージスイッチシリーズの全ラインナップがファンレスになった。

価格は、JGS524v3（メーカー型番 JGS524-300JPS）が3万4,800円（税別）、JGS516v3（メーカー型番 JGS516-300JPS）が2万6,800円。

 

 

JFEエンジニアリングは8月4日、タワー集光型太陽光発電技術の開発に成功したことを発表した。実証実験では、従来の太陽光発電システムと比べ、発電端効率は2倍以上で、セルの単位面積当りでは約1,400倍の発電量を得ることができた。

同社が開発したタワー集光型太陽光発電は、ヘリオスタット(太陽追尾式ミラー)を用いて、太陽光を高さ20メートルのタワー上部に設置したレシーバー(二次集光機能付き多接合型太陽電池セル)に集光し、直接発電するもの。

30基のヘリオスタットで行った実証試験では、集光倍率700倍、太陽電池モジュール1基で、最大26&の発電端効率を実現した。

レシーバーに集光すると太陽電池セルの温度が高温になるため、耐熱温度以下に抑える必要がある。同社は製鉄で培った高炉炉体冷却技術を応用して独自の技術を確立し、使用した冷却水を温水として熱回収することを可能にしている。冷却水は循環使用するため、当設備は水の少ない地域でも設置可能。

同社は今後、ヘリオスタットや太陽電池モジュールを増強し、1,000倍の集光、および発電量拡大に向けた実証試験を継続していくほか、2012年度には数MW規模までスケールアップした実証試験を行い、2013年度中の商用化を目指す。

[マイコミジャーナル]

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IceMos Technologyは、MEMSプロセス技術を応用した高耐圧パワーMOSFETを開発、量産投入を決定したことを発表した。

同製品は、MEMSプロセスを応用したスーパージャンクション構造を採用しており、オムロン野洲事業所の200mm MEMSラインの製造技術を活用することで、量産品展開が可能となったという。

具体的にはIceMosが独自に開発したスーパージャンクション設計技術「ICE MEMS MOSFET」とオムロンの持つMEMSおよびLSI製造技術を組み合わせることで実現された。既存のスーパージャンクション技術による高耐圧パワーMOSFETは、多段エピタキシャル成長方式によって製造され、N層とP層を高耐圧に必要となる膜厚まで数回積上げていく手法が用いられているが、同技術では単層エピタキシャルでMEMS技術の深堀エッチングプロセスを用いて形成したトレンチの側壁にイオンを注入、拡散しP型領域からなる層とN型領域からなる層を形成することで、高性能と高信頼性を実現したという。

製品はドレイン-ソース間耐圧650V(最大ドレイン電流20A)の「ICE20N65」でオン抵抗は0.170Ω、同600V(同20A)の「ICE20N60」でオン抵抗は0.160Ωを実現しており、さらに内蔵梗塞ダイオードの逆回復特性が高いことから、電源システムの高性能化、小型化、低消費電力化が可能になると同社では説明しており、液晶テレビのドライバやHID式ランプの点灯用装置、HEV向けDC/DCコンバータ、太陽光発電用パワーコンディショナ、データセンタ用AC/DC電源などでの活用が期待できるとしている。

[マイコミジャーナル]

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